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7005S35GB备选型号: 7005L35GB

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辐射硬化
无铅
底架
Current - Supply (Nom)
同步/异步
字长

7005S35GB

Integrated Device Technology (IDT)

SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 35ns 68-Pin CPGA

68
RAM, SDR, SRAM
2012
Bulk
活跃
125°C
-55°C
5V
Parallel
8kB
2
35 ns
26b
64 kb
5.5V
4.5V
29.46mm
29.46mm
3.68mm
符合RoHS标准
无
含铅
-
-
-
-
7005L35GB

Integrated Device Technology (IDT)

SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 35ns 68-Pin CPGA

68
RAM, SRAM
2005
Bulk
活跃
125°C
-55°C
5V
Parallel
-
2
35 ns
26b
64 kb
5.5V
4.5V
29.46mm
29.46mm
3.68mm
符合RoHS标准
无
含铅
通孔
250mA
Asynchronous
8b
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	7005L35GB	Integrated Device Technology (IDT)	存储器		SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 35ns 68-Pin CPGA	对比
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