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70T651S10BF8备选型号: 70T651S12BF

70T651S10BF8

Integrated Device Technology (IDT)

SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 208-Pin CABGA T/R

7 Weeks
表面贴装
208
RAM, SRAM
405mA
Tape & Reel
2009
e0
no
活跃
3 (168 Hours)
208
Tin/Lead (Sn63Pb37)
70°C
0°C
2.5V
BOTTOM
BALL
225
1
0.8mm
COMMERCIAL
Parallel
2
10 ns
3-STATE
18b
9 Mb
0.01A
COMMON
Asynchronous
36b
2.6V
2.4V
15mm
1.5mm
15mm
1.4mm
无
符合RoHS标准
含铅
-
70T651S12BF

Integrated Device Technology (IDT)

SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 208-Pin CABGA

7 Weeks
表面贴装
208
RAM, SDR, SRAM
355mA
Bulk
2005
e0
no
活跃
3 (168 Hours)
208
Tin/Lead (Sn63Pb37)
70°C
0°C
2.5V
BOTTOM
BALL
225
1
0.8mm
COMMERCIAL
Parallel
2
12 ns
3-STATE
18b
9 Mb
0.01A
COMMON
Asynchronous
36b
2.6V
2.4V
15mm
1.5mm
15mm
1.4mm
无
符合RoHS标准
含铅
1.1MB
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