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首页 全部分类 70V3579S4BF8 vs CY7C09579V-100BBC

70V3579S4BF8备选型号: CY7C09579V-100BBC

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 电压 - 供电
  • 基本部件号
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 时钟频率
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • 待机电压-最小值
  • Integrated Device Technology (IDT)
    70V3579S4BF8
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 4.2ns 208-Pin CABGA T/R
    7 Weeks
    表面贴装
    208
    RAM, SRAM
    Tape & Reel
    2008
    e0
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    208
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    70°C
    0°C
    PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE
    BOTTOM
    BALL
    225
    1
    3.3V
    0.8mm
    133MHz
    20
    208
    3.3V
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.45V
    3.15V
    2
    460mA
    4.2 ns
    3-STATE
    30b
    1.1 Mb
    COMMON
    Synchronous
    36b
    15mm
    15mm
    1.4mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C09579V-100BBC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 1.152MBIT 100MHZ 172FBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    172
    Volatile
    Tray
    2000
    e0
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    172
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    -
    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
    BOTTOM
    -
    220
    1
    3.3V
    1mm
    -
    -
    172
    3.3V
    -
    -
    -
    -
    2
    385mA
    5ns
    3-STATE
    30b
    1.1 Mb
    COMMON
    Synchronous
    36b
    15mm
    -
    -
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    172-LFBGA
    表面贴装
    0°C~70°C TA
    3V~3.6V
    CY7C09579
    3.465V
    3.135V
    1.152Mb 32K x 36
    100MHz
    SRAM
    Parallel
    36
    0.001A
    3.14V
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