71016S20YG8备选型号: 71016S20PHG8
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- 工厂交货时间
- 底架
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
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- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 宽度
- 座位高度(最大)
- 器件厚度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 包装/外壳
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 20ns 44-Pin SOJ T/R12 Weeks表面贴装44RAM, SDR, SRAM - AsynchronousTape & Reel2004e3yes活跃3 (168 Hours)44Matte Tin (Sn) - annealed70°C0°CDUALJ BEND26015V445V5VCOMMERCIALParallel5.5V4.5V128kB1170mA20 ns3-STATE16b1 MbCOMMONAsynchronous16b28.6mm10.2mm3.683mm2.9mm符合RoHS标准无无铅---
- SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 20ns 44-Pin TSOP-II T/R12 Weeks表面贴装44RAM, SDR, SRAM - AsynchronousTape & Reel2007e3yes活跃3 (168 Hours)44Matte Tin (Sn) - annealed70°C0°CDUAL鸥翼26015V445V5VCOMMERCIALParallel5.5V4.5V128kB1170mA20 ns3-STATE16b1 MbCOMMONAsynchronous16b18.41mm10.16mm-1mm符合RoHS标准无无铅TSOP0.8mm30
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71016S20PHG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 20ns 44-Pin TSOP-II Tray | 对比 |
![]() | 71016S20PHG8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 20ns 44-Pin TSOP-II T/R | 对比 |
![]() | 71016S20PHGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM | 对比 |






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