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首页 全部分类 71V416L12BEI vs 71V416S12BEI

71V416L12BEI备选型号: 71V416S12BEI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V416L12BEI
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
    12 Weeks
    表面贴装
    TFBGA
    48
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    2012
    e0
    no
    活跃
    4 (72 Hours)
    48
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    85°C
    -40°C
    BOTTOM
    BALL
    225
    1
    3.3V
    48
    3.3V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    3.6V
    3V
    512kB
    1
    170mA
    12 ns
    18b
    4 Mb
    Asynchronous
    16b
    9mm
    9mm
    1.2mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V416S12BEI
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
    12 Weeks
    表面贴装
    TFBGA
    48
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    2005
    e0
    no
    活跃
    4 (72 Hours)
    48
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    85°C
    -40°C
    BOTTOM
    BALL
    225
    1
    3.3V
    48
    3.3V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    3.6V
    3V
    512kB
    1
    180mA
    12 ns
    18b
    4 Mb
    Asynchronous
    16b
    9mm
    9mm
    1.2mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    0.75mm
    20
    3-STATE
    0.02A
    COMMON
    3V
  • 添加型号
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