登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

AFT09MS031GNR1备选型号: MRF6V2010GNR1

隐藏公共属性
型号:
品牌:
描述:
工厂交货时间
包装/外壳
表面安装
包装
已出版
JESD-609代码
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
端子表面处理
HTS代码
峰值回流焊温度（摄氏度）
频率
时间@峰值回流温度-最大值(s)
基本部件号
配置
测试电流
极性/通道类型
晶体管类型
增益
功率 - 输出
场效应管技术
最大耗散功率(Abs)
电压-测试
RoHS状态

AFT09MS031GNR1

NXP USA Inc.

RF MOSFET Transistors MV9 800MHZ13.6V

10 Weeks
TO-270BA
YES
150°C
Tape & Reel (TR)
2006
e3
活跃
3 (168 Hours)
EAR99
Matte Tin (Sn)
8541.29.00.40
260
870MHz
40
AFT09MS031
Single
500mA
N-CHANNEL
LDMOS
17.2dB
31W
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
317W
13.6V
ROHS3 Compliant
MRF6V2010GNR1

NXP USA Inc.

Transistors RF MOSFET VHV6 10W TO270-2GN

10 Weeks
TO-270BA
-
110V
Tape & Reel (TR)
2006
-
活跃
3 (168 Hours)
-
-
-
-
220MHz
-
MRF6V2010
-
30mA
-
LDMOS
23.9dB
10W
-
-
50V
ROHS3 Compliant
添加型号

分立半导体产品相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	AFT05MS031NR1	NXP USA Inc.	晶体管 - FET，MOSFET - 射频	TO-270AA	FET RF 40V 520MHZ TO-270-2	对比
	AFT05MS031GNR1	NXP USA Inc.	晶体管 - FET，MOSFET - 射频	TO-270BA	RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V	对比
	MRF6V2010GNR1	NXP USA Inc.	晶体管 - FET，MOSFET - 射频	TO-270BA	Transistors RF MOSFET VHV6 10W TO270-2GN	对比