登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

MRF6V2010GNR1

MRF6V2010GNR1

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF列表

PDF文档列表

免费送样

NXP USA Inc. MRF6V2010GNR1

收藏
对比

型号

MRF6V2010GNR1

品牌

utmel 编号

1786-MRF6V2010GNR1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-270BA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistors RF MOSFET VHV6 10W TO270-2GN

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表

MRF6V2010GNR1

MRF6V2010GNR1 NXP USA Inc. Transistors RF MOSFET VHV6 10W TO270-2GN

请发送询价，我们将立即回复。

库存:648

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

*

验证码

MRF6V2010GNR1详情

技术参数

PDF文档

型号对比

NXP USA Inc. MRF6V2010GNR1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
包装/外壳

TO-270BA
Voltage Rated

110V
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2006
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
频率

220MHz
基本部件号

MRF6V2010
测试电流

30mA
晶体管类型

LDMOS
增益

23.9dB
功率 - 输出

10W
电压-测试

50V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

0个相似型号

MRF6V2010GNR1拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

BF862,215

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6

MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178

NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z