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首页 全部分类 AFT18P350-4S2LR6 vs IRLML2060TRPBF

AFT18P350-4S2LR6备选型号: IRLML2060TRPBF

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  • 电压-测试
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  • 安装类型
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    AFT18P350-4S2LR6
    NXP USA Inc.
    FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
    10 Weeks
    NI-1230-4LS2L
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    不适用
    EAR99
    260
    1.81GHz
    40
    Single
    1A
    N-CHANNEL
    LDMOS (Dual)
    16.1dB
    63W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2060TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
    12 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    1.2A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    e3
    3
    480MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    4.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    480m Ω @ 1.2A, 10V
    2.5V @ 25μA
    64pF @ 25V
    0.67nC @ 4.5V
    3.8ns
    ±16V
    2.8 ns
    1.2A
    2.5V
    16V
    60V
    4.8A
    21 ns
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    无铅
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