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AFT18P350-4S2LR6备选型号: PD57006STR-E
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- 终端形式
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- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
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- 元素配置
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- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 栅极至源极电压(Vgs)
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FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI123010 WeeksNI-1230-4LS2L150°CTape & Reel (TR)2006活跃不适用EAR992601.81GHz40Single1AN-CHANNELLDMOS (Dual)16.1dB63WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28VROHS3 Compliant--------------------------
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF25 WeeksPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)1Tape & Reel (TR)-活跃3 (168 Hours)EAR99未说明945MHz未说明-70mAN-CHANNELLDMOS15dB-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28VROHS3 Compliant表面贴装3e42镍钯金165°C-65°C20WDUALFLAT1APD5700610R-PDSO-F2不合格Single增强型MOSFET20WSOURCEAMPLIFIER65V1A20V6W1A65V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PD57006S-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | 对比 |
 | IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 对比 |
 | PD57006-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | 对比 |
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