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首页 全部分类 ALD1101BSAL vs DMN1150UFL3-7

ALD1101BSAL备选型号: DMN1150UFL3-7

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  • 场效应管特性
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Advanced Linear Devices Inc.
    ALD1101BSAL
    Advanced Linear Devices Inc.
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SOIC
    40mA
    0°C~70°C TJ
    Tube
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    10Ohm
    500mW
    500mW
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
    10.6V
    40mA
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN1150UFL3-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    8
    -
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    390mW
    390mW
    2 N-Channel (Dual)
    12V
    2A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    Automotive, AEC-Q101
    e4
    yes
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    未说明
    未说明
    150m Ω @ 1A, 4.5V
    1V @ 250μA
    115pF @ 6V
    1.4nC @ 4.5V
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