Infineon Technologies IRF7420PBF
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IRF7420PBF
1211-IRF7420PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
1最小包装量--
IRF7420PBF详情
Infineon Technologies IRF7420PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
291 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
14MOhm
电压 - 额定直流
-12V
额定电流
-11.5A
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
8.8 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 11.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3529pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 4.5V
上升时间
8.8ns
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
225 ns
连续放电电流(ID)
-11.5A
阈值电压
-900mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-12V
双电源电压
-12V
栅源电压
-900 mV
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF7420PBF拓展信息
Infineon Technologies
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