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首页 全部分类 ALD1102SAL vs IRF7329PBF

ALD1102SAL备选型号: IRF7329PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Advanced Linear Devices Inc.
    ALD1102SAL
    Advanced Linear Devices Inc.
    MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SOIC
    0°C~70°C TJ
    Tube
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    70°C
    0°C
    500mW
    Dual
    500mW
    500mW
    2 P-Channel (Dual) Matched Pair
    270Ohm @ 5V
    1.2V @ 10μA
    10pF @ 5V
    10.6V
    16mA
    -13.2V
    -12V
    Standard
    180Ohm
    270 Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7329PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2W
    Dual
    2W
    -
    2 P-Channel (Dual)
    17m Ω @ 9.2A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    3450pF @ 10V
    12V
    -9.2A
    8V
    -12V
    逻辑电平门
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    9.2A
    HEXFET®
    e3
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    17MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -12V
    鸥翼
    -9.2A
    IRF7329PBF
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    57nC @ 4.5V
    8.6ns
    260 ns
    -900mV
    -12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -900 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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IRF7329PBF IRF7329PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 对比