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首页 全部分类 ALD1107SBL vs IRF7410TRPBF

ALD1107SBL备选型号: IRF7410TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 接通延迟时间
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  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Advanced Linear Devices Inc.
    ALD1107SBL
    Advanced Linear Devices Inc.
    MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
    8 Weeks
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    14
    SILICON
    4
    2005
    Tube
    0°C~70°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    500mW
    DUAL
    鸥翼
    unknown
    COMMON SUBSTRATE, 4 ELEMENTS
    增强型MOSFET
    500mW
    4 P-Channel, Matched Pair
    SWITCHING
    1800 Ω @ 5V
    1V @ 1μA
    3pF @ 5V
    10.6V
    2mA
    -13.2V
    -12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7410TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
    12 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    1
    2006
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    P-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 16A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    8676pF @ 10V
    12V
    -16A
    8V
    -12V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    HEXFET®
    e3
    SMD/SMT
    7MOhm
    -12V
    260
    -16A
    30
    6.3 mm
    1
    Single
    13 ns
    91nC @ 4.5V
    12ns
    ±8V
    200 ns
    -400mV
    65A
    -12V
    145 ns
    150°C
    -900 mV
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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IRF7329PBF IRF7329PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 对比