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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥44.749721
10
¥42.21672
100
¥39.827096
500
¥37.572726
1000
¥35.445967
Advanced Linear Devices Inc. ALD1107SBL
- 收藏
- 对比
ALD1107SBL
49-ALD1107SBL
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ALD1107SBL详情
Advanced Linear Devices Inc. ALD1107SBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
14
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
4
已出版
2005
包装
Tube
操作温度
0°C~70°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
14
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
500mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
配置
COMMON SUBSTRATE, 4 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
场效应管类型
4 P-Channel, Matched Pair
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1800 Ω @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3pF @ 5V
漏源电压 (Vdss)
10.6V
连续放电电流(ID)
2mA
栅极至源极电压(Vgs)
-13.2V
漏源击穿电压
-12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ALD1107SBL拓展信息
Advanced Linear Devices Inc.
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