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首页 全部分类 ALD1115MAL vs IRF7607TRPBF

ALD1115MAL备选型号: IRF7607TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Advanced Linear Devices Inc.
    ALD1115MAL
    Advanced Linear Devices Inc.
    MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    0°C~70°C TJ
    Tube
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    500mW
    unknown
    Dual
    500mW
    N and P-Channel Complementary
    1800 Ω @ 5V
    1V @ 1μA
    3pF @ 5V
    10.6V
    -2mA
    13.2V
    -12V
    Standard
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7607TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    -
    活跃
    2 (1 Year)
    -
    -
    Single
    1.8W
    N-Channel
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    -
    6.5A
    12V
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    SILICON
    6.5A Ta
    HEXFET®
    8
    HIGH RELIABILITY
    20V
    DUAL
    鸥翼
    6.5A
    增强型MOSFET
    8.5 ns
    SWITCHING
    22nC @ 5V
    11ns
    ±12V
    16 ns
    1.2V
    0.03Ohm
    50A
    860μm
    3mm
    3mm
    无SVHC
    无
    含铅
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