Infineon Technologies IRF7504TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

38 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

电阻

270mOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

额定电流

-1.7A

基本部件号

IRF7504PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

9.1 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 1.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

240pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2nC @ 4.5V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

43 ns

连续放电电流(ID)

-1.7A

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.6A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

860μm

长度

3mm

宽度

3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅