AO4302备选型号: IRF8788TRPBF

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
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  • 电阻
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2.3V @ 250μA
    23A Ta
    2011
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3.6W
    N-Channel
    4m Ω @ 20A, 10V
    3470pF @ 15V
    63nC @ 10V
    30V
    ±20V
    23A
    20V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2.35V @ 100μA
    24A Ta
    2008
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    2.5W
    N-Channel
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    24A
    20V
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    HEXFET®
    EAR99
    2.8MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    23 ns
    24ns
    11 ns
    30V
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无铅
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