AO4419备选型号: SI4435DYTRPBF

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
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  • 触点镀层
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    9.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3.1W
    P-Channel
    20m Ω @ 9.7A, 10V
    2.7V @ 250μA
    1900pF @ 15V
    32nC @ 10V
    30V
    ±20V
    9.7A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    2.5W
    P-Channel
    20m Ω @ 8A, 10V
    1V @ 250μA
    2320pF @ 15V
    60nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -8A
    20V
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    HEXFET®
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    20mOhm
    超低电阻
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -8A
    6.3 mm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    16 ns
    SWITCHING
    17ns
    31 ns
    -1V
    8A
    -30V
    50A
    -30V
    51 ns
    150°C
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
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