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首页 全部分类 AO4430 vs NVMFS4841NT1G

AO4430备选型号: NVMFS4841NT1G

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AO4430
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    18A Ta
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3W
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 18A, 10V
    7270pF @ 15V
    124nC @ 10V
    30V
    ±20V
    18A
    20V
    0.0055Ohm
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS4841NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    SILICON
    16A Ta
    2.5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    -
    增强型MOSFET
    112W
    N-Channel
    -
    7m Ω @ 30A, 10V
    1436pF @ 12V
    17nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    16A
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    DRAIN
    13.5 ns
    无卤素
    66.5ns
    7.5 ns
    89A
    30V
    336A
    无铅
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