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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.20607
10
¥11.51516
100
¥10.863358
500
¥10.248452
1000
¥9.66835
Infineon Technologies IRF7834TRPBF
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- 对比
IRF7834TRPBF
1211-IRF7834TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF7834TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7834TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.5MOhm
电压 - 额定直流
30V
额定电流
19A
配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
13.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.25V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3710pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 4.5V
上升时间
14.3ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
19A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF7834TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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