AO4616备选型号: DMG4800LSD-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88A 7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)2W增强型MOSFET2WN and P-Channel20m Ω @ 8A, 10V2.4V @ 250μA888pF @ 15V18nC @ 10V30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL7A20V8AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant---------------------------
- MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO16 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)82-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2011活跃1 (Unlimited)1.17W增强型MOSFET1.17W2 N-Channel (Dual)16m Ω @ 9A, 10V1.6V @ 250μA798pF @ 10V8.56nC @ 5V30V-7.5A25V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant73.992255mgSILICONe3yes8EAR99Matte Tin (Sn) - annealedHIGH RELIABILITY鸥翼26040DMG4800LSD8Dual5.03 nsSWITCHING4.5ns8.55 ns1.6V0.016Ohm30V150°C1.7mm4.95mm3.95mm无SVHC无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO | 对比 |
| FDS8882 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8 | 对比 |



哦! 它是空的。