AO4616备选型号: FDS4435BZ
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- 工厂交货时间
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88A 7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)2W增强型MOSFET2WN and P-Channel20m Ω @ 8A, 10V2.4V @ 250μA888pF @ 15V18nC @ 10V30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL7A20V8AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant-------------------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)-增强型MOSFET2.5WP-Channel20m Ω @ 8.8A, 10V3V @ 250μA1845pF @ 15V40nC @ 10V30V--8.8A25V---无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Tin130mgSILICONPowerTrench®e3yes8EAR9920MOhm-30VDUAL鸥翼-8.8A1Single10 nsSWITCHING13ns±25V38 ns-2.1V-30V150°C-2.1 V345 pF1.75mm5mm4mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO | 对比 |
| FDS8882 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8 | 对比 |



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