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首页 全部分类 AO4618 vs IRL6372TRPBF

AO4618备选型号: IRL6372TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AO4618
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8A 7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2W
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    19m Ω @ 8A, 10V
    2.4V @ 250μA
    415pF @ 20V
    12nC @ 10V
    40V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    7A
    20V
    7A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    -
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    -
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    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL6372TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2W
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    17.9m Ω @ 8.1A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1020pF @ 25V
    11nC @ 4.5V
    30V
    -
    8.1A
    12V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    17.9MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    IRL6372PBF
    Dual
    5.9 ns
    SWITCHING
    13ns
    15 ns
    30V
    65A
    1.1 V
    无SVHC
    无
    无铅
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