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首页 全部分类 AO4629 vs NTMD6N03R2

AO4629备选型号: NTMD6N03R2

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AO4629
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6A 5.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2W
    DUAL
    鸥翼
    8
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel, Common Drain
    SWITCHING
    30m Ω @ 6A, 10V
    2.4V @ 250μA
    310pF @ 15V
    6.3nC @ 10V
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    5.5A
    20V
    6A
    0.03Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    50 pF
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMD6N03R2
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2W
    -
    鸥翼
    8
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    32m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    950pF @ 24V
    30nC @ 10V
    -
    -
    6A
    20V
    6A
    0.032Ohm
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    e0
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    30V
    240
    not_compliant
    6A
    30
    NTMD6N03
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1.29W
    22ns
    45 ns
    30V
    30A
    325 mJ
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