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首页 全部分类 AO6604 vs NTGD3148NT1G

AO6604备选型号: NTGD3148NT1G

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  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AO6604
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Trans Mosfet N/p-ch 20V 3.4A/2.5A 6-PIN TSOP T/r
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    3.4A 2.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    1.1W
    增强型MOSFET
    1.1W
    N and P-Channel Complementary
    65m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    320pF @ 10V
    3.8nC @ 4.5V
    20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2.5A
    3.4A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTGD3148NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    2
    -50°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    900mW
    增强型MOSFET
    1.1W
    2 N-Channel (Dual)
    70m Ω @ 3.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    300pF @ 10V
    3.8nC @ 4.5V
    20V
    -
    3A
    3A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    SILICON
    e3
    yes
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    NTGD3148N
    6
    不合格
    Dual
    SWITCHING
    11.2ns
    1.6 ns
    12V
    0.07Ohm
    20V
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