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AO6604备选型号: NTGS3443BT1G
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- 功率耗散
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
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- 端子位置
- 终端形式
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
Trans Mosfet N/p-ch 20V 3.4A/2.5A 6-PIN TSOP T/r18 Weeks表面贴装表面贴装SC-74, SOT-45763.4A 2.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010活跃1 (Unlimited)1.1W增强型MOSFET1.1WN and P-Channel Complementary65m Ω @ 3.4A, 4.5V1V @ 250μA320pF @ 10V3.8nC @ 4.5V20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL2.5A3.4AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 4.5V Drive无ROHS3 Compliant无铅--------------------
MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP-表面贴装表面贴装SOT-23-662.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007Obsolete1 (Unlimited)-增强型MOSFET1.25WP-Channel60m Ω @ 3.7A, 4.5V1.4V @ 250μA819pF @ 10V11nC @ 4.5V--2.7A3.7A---符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)SILICONe3yes6EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明未说明6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODESWITCHING7ns±12V7 ns12V20V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP | 对比 |
 | BSL806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R | 对比 |
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