AO7405备选型号: MCH6661-TL-W
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-6表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3631.4A Ta1.4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011不用于新设计1 (Unlimited)P-Channel150m Ω @ 1.6A, 10V409pF @ 15V5.06nC @ 4.5V30V±12V1.4AROHS3 Compliant--------------------------
- ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads2-150°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)2 N-Channel (Dual)188m Ω @ 900mA, 10V88pF @ 10V2nC @ 10V30V-1.8AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)7 Weeks67.512624mge6yesEAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)800mW未说明未说明Dual800mW3.4 ns2.6V @ 1mA3.6ns4 ns2.6V20V30VLogic Level Gate, 4V Drive850μm2mm1.6mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6661-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V | 对比 | |
| NTR4503NT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 | 对比 |


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