ON Semiconductor MCH6661-TL-W
- 收藏
- 对比
MCH6661-TL-W
1807-MCH6661-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V
--最小包装量--
MCH6661-TL-W详情
ON Semiconductor MCH6661-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
质量
7.512624mg
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
10.5 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
800mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Dual
功率耗散
800mW
接通延迟时间
3.4 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
188m Ω @ 900mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
88pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2nC @ 10V
上升时间
3.6ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
1.8A
阈值电压
2.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
Logic Level Gate, 4V Drive
高度
850μm
长度
2mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MCH6661-TL-W拓展信息










哦! 它是空的。