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AO7414备选型号: BSS806NEH6327XTSA1
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- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 20V 2A SC70-318 WeeksSC-70, SOT-323表面贴装表面贴装1V @ 250μA350mW Ta2007Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFETN-Channel62m Ω @ 2A, 4.5V320pF @ 10V3.8nC @ 4.5V20V±8V2A2AROHS3 Compliant----------------------------
MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-310 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装0.75V @ 11μA2.3A Ta2013Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)-增强型MOSFETN-Channel57m Ω @ 2.3A, 2.5V529pF @ 10V1.7nC @ 2.5V-±8V2.3A-ROHS3 CompliantTin31.437803gSILICONAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®e3yes3EAR99雪崩 额定DUAL鸥翼未说明未说明Single500mW7.5 ns无卤素9.9ns3.7 ns8V20V0.057Ohm29 pF1mm2.9mm1.3mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | 对比 |
| FDN371N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
| FDN304PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 | 对比 |
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