Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

1.437803g

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

12 ns

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 2.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A Ta

已出版

2013

系列

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

7.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

57m Ω @ 2.3A, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

0.75V @ 11μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

529pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.7nC @ 2.5V

上升时间

9.9ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

3.7 ns

连续放电电流(ID)

2.3A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.057Ohm

反馈上限-最大值 (Crss)

29 pF

宽度

1.3mm

长度

2.9mm

高度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅