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AOB296L备选型号: STB100N10F7
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N CH 100V 9.5A TO26318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB9.5A Ta 70A Tc3.4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFETN-Channel9.7m Ω @ 20A, 10V2785pF @ 50V52nC @ 10V100V±20V70AROHS3 Compliant--------------------------
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK38 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB80A Tc4.5V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)-增强型MOSFETN-Channel8m Ω @ 40A, 10V4369pF @ 50V61nC @ 10V-±20V80AROHS3 Compliant33.949996gSILICONDeepGATE™, STripFET™ VII3EAR99THROUGH-HOLE未说明未说明STB100N1SingleDRAIN27 nsSWITCHING40ns15 nsTO-220AB20V0.008Ohm100V400 mJ4.6mm10.4mm9.35mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS7787TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK | 对比 |
| STB100N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 对比 |
| IRFS7787PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK | 对比 |
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