STMicroelectronics STB100N10F7

工厂交货时间

38 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Turn Off Delay Time

46 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VII

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STB100N

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

27 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4369pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

61nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.008Ohm

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅