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AOB482L备选型号: IPB80N08S406ATMA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB7V 10V3.7V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)SDMOS™2010Obsolete1 (Unlimited)333WN-Channel6.9m Ω @ 20A, 10V4870pF @ 40V81nC @ 10V80V±25V105A25V符合RoHS标准---------------------
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB14V @ 90μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013Obsolete1 (Unlimited)-N-Channel5.5m Ω @ 80A, 10V4800pF @ 25V70nC @ 10V-±20V80A-ROHS3 Compliant14 WeeksSILICONe3yes2Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN无卤素80V0.0047Ohm320A270 mJnot_compliant含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
| IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | STH110N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK | 对比 |
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