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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.960503
10
¥7.509908
100
¥7.084819
500
¥6.683791
1000
¥6.305464
Infineon Technologies IRFS7540TRLPBF
- 收藏
- 对比
IRFS7540TRLPBF
1211-IRFS7540TRLPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFS7540TRLPBF详情
Infineon Technologies IRFS7540TRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
110A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
160W Tc
Turn Off Delay Time
58 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
160W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.1m Ω @ 65A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4555pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
上升时间
76ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
56 ns
连续放电电流(ID)
110A
阈值电压
3.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
60V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS7540TRLPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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