AOD2N60备选型号: MJD117T4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最大结点温度(Tj)
- VCEsat-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 2A TO25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON2A Tc-50°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010活跃1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼3R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET56.8WDRAINN-ChannelSWITCHING4.4 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 250μA325pF @ 25V11nC @ 10V600V±30V2A30V2A8A600V无ROHS3 Compliant-------------------------------
- TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON-100V150°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)2-鸥翼3R-PSSO-G2--20WCOLLECTOR-SWITCHING-----------无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)33Ve3EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-100V20W260-2A30MJD117PNPSingle25MHzPNP - Darlington100V4A1000 @ 2A 3V20μA3V @ 40mA, 4A100V100V5V150°C3 V2.63mm6.6mm6.2mm无SVHC无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11 | 对比 |
![]() | STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |




哦! 它是空的。