Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2N60

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

56.8W Tc

操作温度

-50°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

56.8W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.4 Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

325pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

DS 击穿电压-最小值

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant