AOD2N60备选型号: STD3NK60ZT4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 2A TO25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON2A Tc-50°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010活跃1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼3R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET56.8WDRAINN-ChannelSWITCHING4.4 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 250μA325pF @ 25V11nC @ 10V600V±30V2A30V2A8A600V无ROHS3 Compliant-------------------------
- Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON19 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-不用于新设计1 (Unlimited)2-鸥翼3R-PSSO-G2-增强型MOSFET45W-N-ChannelSWITCHING3.6 Ω @ 1.2A, 10V4.5V @ 50μA311pF @ 25V11.8nC @ 10V-±30V2.4A30V-9.6A-无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)3SuperMESH™e3EAR993.6OhmMatte Tin (Sn) - annealed600V2602.4A30STD3NSingle9 ns14ns14 ns3.75VTO-252AA600V3.75 V6.2mm6.6mm2.4mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11 | 对比 |
![]() | STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |




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