AOD3N80备选型号: TK2P60D(TE16L1,NQ)
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- 高度
- 长度
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- MOSFET N-CH 800V 2.8A TO25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-632.8A Tc-50°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFETN-Channel4.8 Ω @ 1.5A, 10V4.5V @ 250μA510pF @ 25V10nC @ 10V800V±30V2.8AROHS3 Compliant-----------------
- MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD18 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-632A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)--N-Channel4.3Ohm @ 1A, 10V4.4V @ 1mA280pF @ 25V7nC @ 10V600V±30V2A符合RoHS标准3PW-MOLDπ-MOSVII150°C-55°CSingle60W35 ns15ns7 ns30V280pF4.3 Ω2.3mm6.5mm5.5mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD2N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | STD3N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | TK2P60D(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD | 对比 |




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