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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.124411
10
¥6.721142
100
¥6.3407
500
¥5.981792
1000
¥5.643201
STMicroelectronics STD3N80K5
- 收藏
- 对比
STD3N80K5
2381-STD3N80K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STD3N80K5详情
STMicroelectronics STD3N80K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
60W Tc
Turn Off Delay Time
20.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperMESH5™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
基本部件号
STD3N
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
110W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
130pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 10V
上升时间
7.5ns
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
800V
雪崩能量等级(Eas)
65 mJ
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STD3N80K5拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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