AOD492备选型号: NTD110N02R
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2 Tab) TO-252表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6385A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)SRFET™2008Obsolete1 (Unlimited)2.5WN-Channel4.4m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA4512pF @ 15V74nC @ 10V30V±20V85A20VSchottky Diode (Body)符合RoHS标准-------------------------
- MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6312.5A Ta 110A Tc-55°C~175°C TJTube-2009Obsolete1 (Unlimited)2.88WN-Channel4.6m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA3440pF @ 20V28nC @ 4.5V-±20V110A20V-Non-RoHS CompliantSILICONe02Tin/Lead (Sn/Pb)8541.29.00.9524V鸥翼235not_compliant110A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING39ns21 ns12.5A0.0062Ohm24V120 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | IPD040N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 对比 |
![]() | IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 对比 |



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