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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.599493
10
¥4.339148
100
¥4.093533
500
¥3.861824
1000
¥3.643232
Infineon Technologies IPD040N03LGBTMA1
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- 对比
IPD040N03LGBTMA1
1211-IPD040N03LGBTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD040N03LGBTMA1详情
Infineon Technologies IPD040N03LGBTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3-11
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
79W Tc
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
接通延迟时间
7.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3900pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
3.9nF
漏源电阻
4mOhm
最大rds
4 mΩ
高度
2.41mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD040N03LGBTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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