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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.878671
10
¥4.602513
100
¥4.341994
500
¥4.096221
1000
¥3.864363
Infineon Technologies IPD031N03LGBTMA1
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- 对比
IPD031N03LGBTMA1
1211-IPD031N03LGBTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD031N03LGBTMA1详情
Infineon Technologies IPD031N03LGBTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
94W Tc
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
94W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.1mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5300pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
51nC @ 10V
上升时间
6ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
5.3nF
漏源电阻
3.1mOhm
最大rds
3.1 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD031N03LGBTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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