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首页 全部分类 AOD5N40 vs IPD50R800CEATMA1

AOD5N40备选型号: IPD50R800CEATMA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOD5N40
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    4.2A Tc
    -50°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    1.6 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 250μA
    400pF @ 25V
    8.5nC @ 10V
    400V
    ±30V
    4.2A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R800CEATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    N-Channel
    800mOhm @ 1.5A, 13V
    3.5V @ 130μA
    280pF @ 100V
    12.4nC @ 10V
    500V
    ±20V
    5A
    符合RoHS标准
    PG-TO252-3
    CoolMOS™ CE
    150°C
    -55°C
    6.2 ns
    5.5ns
    15.9 ns
    20V
    280pF
    800 mΩ
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD50R800CEATMA1 IPD50R800CEATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R 对比