Infineon Technologies IPD50R800CEATMA1
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IPD50R800CEATMA1
1211-IPD50R800CEATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R
1最小包装量--
IPD50R800CEATMA1详情
Infineon Technologies IPD50R800CEATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Power Dissipation (Max)
60W Tc
Turn Off Delay Time
26 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ CE
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
6.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 130μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
280pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.4nC @ 10V
上升时间
5.5ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15.9 ns
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
280pF
最大rds
800 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD50R800CEATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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