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AOD7S60备选型号: IPD60R600P6ATMA1
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- Reach合规守则
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- 接通延迟时间
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
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Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-637A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)aMOS™2011不用于新设计1 (Unlimited)N-Channel600m Ω @ 3.5A, 10V3.9V @ 250μA372pF @ 100V8.2nC @ 10V600V±30V7AROHS3 Compliant---------------------------
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-637.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ P62008活跃1 (Unlimited)N-Channel600m Ω @ 2.4A, 10V4.5V @ 200μA557pF @ 100V12nC @ 10V-±20V7.3AROHS3 Compliant33.949996gSILICONyes2EAR99鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN11 nsSWITCHING不含卤素4V30V600V0.6Ohm2.41mm6.73mm6.22mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | 对比 |
 | TK8P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 600V 8A DPAK | 对比 |
| TK8P60W5,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 8A DPAK | 对比 |
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