AOD7S60备选型号: TK8P60W5,RVQ
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-637A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)aMOS™2011不用于新设计1 (Unlimited)N-Channel600m Ω @ 3.5A, 10V3.9V @ 250μA372pF @ 100V8.2nC @ 10V600V±30V7AROHS3 Compliant
- MOSFET N-CH 600V 8A DPAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-638A Ta150°C TJCut Tape (CT)DTMOSIV2015活跃1 (Unlimited)N-Channel560m Ω @ 4A, 10V4.5V @ 400μA590pF @ 300V22nC @ 10V600V±30V8A符合RoHS标准
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | 对比 |
| TK8P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 600V 8A DPAK | 对比 | |
| TK8P60W5,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 8A DPAK | 对比 |



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