AOD7S60备选型号: TK8P60W,RVQ

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    aMOS™
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    600m Ω @ 3.5A, 10V
    3.9V @ 250μA
    372pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    600V
    ±30V
    7A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N CH 600V 8A DPAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    8A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DTMOSIV
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    500mOhm @ 4A, 10V
    3.7V @ 400μA
    570pF @ 300V
    18.5nC @ 10V
    600V
    ±30V
    8A
    符合RoHS标准
    3
    DPAK
    150°C
    -55°C
    Single
    20ns
    5.5 ns
    30V
    600V
    570pF
    超级交界处
    420mOhm
    500 mΩ
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