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AOI4185备选型号: IPS105N03LGAKMA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 系列
- 无铅代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET P-CH 40V 40A TO251A18 Weeks通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3SILICON3V @ 250μA4.5V 10V2011-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLER-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-Channel15m Ω @ 20A, 10V2550pF @ 20V55nC @ 10V40V±20V40A50A0.015Ohm115A40VROHS3 Compliant---------
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(3 Tab) TO-251-通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3SILICON2.2V @ 250μA35A Tc2008-55°C~175°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)3EAR99SINGLER-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel10.5m Ω @ 30A, 10V1500pF @ 15V14nC @ 10V30V±20V35A--245A30V符合RoHS标准OptiMOS™noAVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE未说明未说明38WSWITCHING20V30 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD4815N-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK | 对比 |
 | NTD4815NH-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK | 对比 |
| IPS105N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(3 Tab) TO-251 | 对比 |
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