Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4185

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Tc

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 62.5W Tc

已出版

2011

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

15m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2550pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

40A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏极-源极导通最大电阻

0.015Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

115A

DS 击穿电压-最小值

40V

RoHS状态

ROHS3 Compliant