AOK20S60L备选型号: IPW60R160P6FKSA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 20A TO24716 Weeks通孔通孔TO-247-320A Tc4.1V @ 250μA-55°C~150°C TJTubeaMOS™2011不用于新设计1 (Unlimited)N-Channel199m Ω @ 10A, 10V1038pF @ 100V19.8nC @ 10V600V±30V20A30VROHS3 Compliant------------
- MOSFET N-CH 600V TO247-318 Weeks通孔通孔TO-247-323.8A Tc4.5V @ 750μA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008活跃1 (Unlimited)N-Channel160mOhm @ 9A, 10V2080pF @ 100V44nC @ 10V600V±20V23.8A20VROHS3 Compliant3PG-TO247-3150°C-55°C12.5 ns7.6ns5.8 ns600V2.08nF144mOhm160 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FCH22N60N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 | 对比 | |
![]() | IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |
| R6024ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 24A TO247 | 对比 |



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